进展300亿美元投资后,紫光与南京

1.继亿美元投资后，紫光集团与南京银行签署战略合作协议；

2.东南大学单伟伟参加A-SSCC并获奖；

3.中国科学家预言的T-碳诞生，三维新结构比肩石墨和金刚石；

4.半导体所在二维GeSe的偏振光学特性研究中获进展；

5.ICCAD兆芯带你走进新一代开先KX-系列处理器

集微网推出集成电路 　　GeSe是一种典型的二元IV-VI硫族化合物，研究显示，GeSe是以高度各向异性的层状正交晶系方式结晶（空间群Pcmn-，比黑磷的空间群Bmab-对称性低）。此外，GeSe的带隙范围为1.1-1.2eV，使其适用的二向色性波段分布在1nm波段以内（可见/短波近红外波段）。在靠近带边处，高态密度直接导致高吸收系数。鉴于上述特性，GeSe在面内各向异性等方面的独特性质有待研究，来实现其在可见/短波近红外波段光偏振探测方面的应用。

　　在此背景下，该研究员团队利用GeSe材料高蒸气压的特点，采用真空气相沉积法，获得了高质量的GeSe层状单晶。通过XRD以及TEM表征，证实获得的二维GeSe纳米片具有很高的结晶度。同时，通过拉曼光谱、光吸收谱和光探测器件研究，系统分析了GeSe在晶格振动以及光学方面的各向异性（如图）。由于GeSe的几个典型的拉曼振动模的强度随着入射光和散射光的偏振方向以及样品的夹角而变化，拉曼光谱检测为GeSe晶向的确定提供了快速简便的方法。在光学方面，GeSe的各向异性体现在偏振度可分辨的光吸收谱和光电流谱等方面，在nm激光波长下二向色性比为1.09，在nm下为1.44，在nm下为2.16，与吸收谱测试结果基本符合（对应的各向异性吸收比分别是1.09，1.26，3.02），这两种测试方法系统地确定了GeSe最佳的各向异性的光响应在nm波长附近。结合理论计算的佐证，系统探测显示8-16nm厚度的GeSe有助于实现最优质的光探测结果。该研究成果显示出，二维GeSe在线偏振探测领域有潜在的应用价值。

　　相关研究成果近期发表在JournaloftheAmericanChemicalSociety上。研究工作得到中科院和国家自然科学基金委员会的资助。

　　论文链接

由GeSe低晶格对称性导致的角度依赖各向异性拉曼信号和nm激光下的探测性能。中国科学院网站

5.ICCAD兆芯带你走进新一代开先KX-系列处理器

集微网消息，年11月16日-17日，以“创新驱动，引领发展”为主题的中国集成电路设计业年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD）在北京成功举办。在17日举办的IC与IP设计专题论坛上，上海兆芯集成电路有限公司副总裁傅城博士发表了题为“钢铁是怎样炼成的”现场演讲，深刻剖析了即将发布的兆芯新一代开先KX-系列处理器的研发历程，受到了与会领导和嘉宾的广泛







































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